1KX4 STANDARD SRAM, 120ns, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP18,.3 |
| 针数 | 18 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| 其他特性 | LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 21.91 mm |
| 内存密度 | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 18 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 1KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.33 mm |
| 最大待机电流 | 0.000015 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.031 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| HM3-6514S-9 | HM3-6514-9 | HM1-6514S-9 | HM3-6514B-9 | HM1-6514-9 | HM4-6514-B | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 1KX4 STANDARD SRAM, 120ns, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 | 1KX4 STANDARD SRAM, 300ns, PDIP18 | 1KX4 STANDARD SRAM, 120ns, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 | 1KX4 STANDARD SRAM, 220ns, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 | 1KX4 STANDARD SRAM, 300ns, CDIP18 | 1KX4 STANDARD SRAM, 320ns, CQCC18, CERAMIC, LCC-18 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP | LCC |
| 包装说明 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 | CERAMIC, DIP-18 | QCCN, |
| 针数 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 120 ns | 300 ns | 120 ns | 220 ns | 300 ns | 320 ns |
| 其他特性 | LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS | ADDRESS LATCH; LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS | LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS | LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS | ADDRESS LATCH; LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS | LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 | R-PDIP-T18 | R-GDIP-T18 | R-PDIP-T18 | R-GDIP-T18 | R-CQCC-N18 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 |
| 字数 | 1024 words | 1024 words | 1024 words | 1024 words | 1024 words | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -55 °C |
| 组织 | 1KX4 | 1KX4 | 1KX4 | 1KX4 | 1KX4 | 1KX4 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | - |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | - |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 | DIP18,.3 | DIP18,.3 | DIP18,.3 | DIP18,.3 | - |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | - |
| 座面最大高度 | 5.33 mm | - | 5.08 mm | 5.33 mm | - | 1.91 mm |
| 最大待机电流 | 0.000015 A | 0.000015 A | 0.000015 A | 0.000015 A | 0.000015 A | - |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V | - |
| 最大压摆率 | 0.031 mA | 0.014 mA | 0.031 mA | 0.019 mA | 0.014 mA | - |
| 宽度 | 7.62 mm | - | 7.62 mm | 7.62 mm | - | 7.43 mm |
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