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HM1-6518/883

产品描述Standard SRAM, 1KX1, 250ns, CMOS, CDIP18
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文件大小241KB,共9页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HM1-6518/883概述

Standard SRAM, 1KX1, 250ns, CMOS, CDIP18

HM1-6518/883规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间250 ns
其他特性ADDRESS LATCH; LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
JESD-30 代码R-GDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度1024 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.00001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.0068 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

HM1-6518/883相似产品对比

HM1-6518/883 HM1-6518B/883
描述 Standard SRAM, 1KX1, 250ns, CMOS, CDIP18 Standard SRAM, 1KX1, 180ns, CMOS, CDIP18
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Harris Harris
包装说明 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 250 ns 180 ns
其他特性 ADDRESS LATCH; LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS ADDRESS LATCH; LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
JESD-30 代码 R-GDIP-T18 R-GDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 18 18
字数 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 1KX1 1KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE
可输出 NO NO
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流 0.00001 A 0.000005 A
最小待机电流 2 V 2 V
最大压摆率 0.0068 mA 0.0079 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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