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BZT03D130

产品描述Zener Diode, 130V V(Z), 10%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小129KB,共4页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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BZT03D130概述

Zener Diode, 130V V(Z), 10%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-15,

BZT03D130规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗300 Ω
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-XALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.3 W
标称参考电压130 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差10%
工作测试电流5 mA

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BL
GALAXY ELECTRICAL
BZT03---SERIES
V
Z
:
6.2 -- 270 V
POWER DISSIPATION: 1.3W
DO -- 15
ZENER DIODES
FEATURES
Glass passivated junction
Hermetically sealed package
Clamping time in picoseconds
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-15
Terminals: Axial leads solderable per MIL-
STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathods end
Weight: 0.014 ounces,0.39 grams
Mounting position: any
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
Parameter
Power dissipation at T
A
=25℃
Forward voltage @I
F
=0.5A
Maximum thermal resistance
junction to ambient (Note 1)
Peak reverse power dissipation
tp=100µs square wave
Junction temperature
Storage temperature range
Note:1.On PC board with spacing 25mm
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
P
tot
V
F
R
θJA
P
ZSM
T
J
T
STG
Value
1.3
1.2
100
600
175
-65 to +175
Unit
W
V
℃/W
W
www.galaxycn.com
Document Number 0284017
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