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BZT03-C82

产品描述DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小53KB,共9页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BZT03-C82概述

DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

BZT03-C82规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明E-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压77 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压114 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大动态阻抗100 Ω
JESD-30 代码E-LALF-W2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散300 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)225
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.3 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压82 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差6%
工作测试电流10 mA

文档预览

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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
handbook, 2 columns
M3D116
BZT03 series
Voltage regulator diodes
Product specification
Supersedes data of April 1992
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