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BYV26C

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准  
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BYV26C概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM),

BYV26C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO

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TH97/2478
TH09/2479
www.eicsemi.com
IATF 0113686
SGS TH07/1033
BYV26A - BYV26E
PRV : 200 - 1000 Volts
Io : 1.0 Ampere
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Fast switching for high efficiency
Pb / RoHS Free
VERY FAST SOFT-RECOVERY
AVALANCHE RECTIFIER DIODES
DO - 41
0.108 (2.74)
0.078 (1.99)
1.00 (25.4)
MIN.
0.205 (5.20)
0.161 (4.10)
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.339 gram
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specifie.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RATING
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum Continuous Reverse Voltage
Minimum Reverse Avalanche Breakdown Voltage @ 100
μ
A
Maximum Average Forward Current ( Note 1 )
Maximum Non-Repetitive Peak Forward Current
Maximum Repetitive Peak Forward Current( Ttp = 85
°
C )
Maximum Forward Voltage at Amp. ; T
J
= 25
°
C
1.0
J
T = 175
°
C
SYMBOL
BYV26A BYV26B BYV26C BYV26D BYV26E BYV26G
UNIT
V
RRM
V
R
V
(BR)R
I
F(AV)
I
FSM
I
FRM
V
F
V
F
I
R
I
R(H)
Trr
R
θ
JA
T
J
T
STG
30
100
- 65 to + 175
- 65 to + 175
200
200
300
400
400
500
600
600
700
1.0
30
10
2.5
1.3
5.0
150
75
150
800
800
900
1000
1000
1100
1400
1400
1500
V
V
V
A
A
A
V
V
Maximum Reverse Current
at Reverse Voltage
Ta = 25
°
C
Ta = 100
°
C
μ
A
μ
A
ns
K/W
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 2 )
Typical Thermal Resistance - Junction to Ambient
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
°
C
°
C
Notes :
( 1 ) Ttp = 85
°C
, lead length 10 mm.
( 2 ) Measured with I
F
= 0.5 Amp, I
R
= 1.0A, Irr = 0.25A.
Page 1 of 2
Rev. 03 : March 25, 2005

BYV26C相似产品对比

BYV26C BYV26A BYV26B BYV26D BYV26E
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1.3 V 1.3 V 1.3 V 2.5 V
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A
元件数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
最大重复峰值反向电压 600 V 200 V 400 V 800 V 1000 V
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs 0.03 µs 0.075 µs 0.075 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 -

 
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