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BYT52K(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1.4A, 800V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小64KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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BYT52K(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1.4A, 800V V(RRM),

BYT52K(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1.4 A
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
BYT52A(Z)---BYT52M(Z)
VOLT AGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 1.4 A
FAST RECOVERY RECT IFIERS
Low cos t
Diffus ed junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Eas ily cleaned with Freon, Alcohol,Is opropanol and
s im ilar s olvents
DO - 15
MECHANICAL DATA
Cas e:JEDEC DO--15,m olded plas tic
Term inals : Axial lead ,s olderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.014 ounces ,0.39 gram s
Mounting pos ition: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unles s otherwis e s pecified.
Single phas e,half wave,50Hz,res is tive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYT
52A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average f orw ard rectif ied current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYT
52B
100
70
10
BYT
52D
200
140
200
BYT
52G
400
280
400
1.4
BYT
52J
600
420
600
BYT
52K
800
560
800
BYT
52M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RR M
V
R MS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak f orw ard surge current
10ms single half -sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
qJA
T
J
T
STG
50.0
A
Maximum instantaneous f orw ard voltage
(
@ 1.0A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
1.3
5.0
100.0
200
18
45
-55 ---- + 150
-55 ---- + 150
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
N OTE:1. Meas ured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MH Z and applied rev erse v oltage of 4.0V D C .
3. Therm al resistance f rom junction to am bient.
www.galaxycn.com
Document Number 0261043
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BYT52K(Z)相似产品对比

BYT52K(Z) BYT52A(Z) BYT52G(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1.4A, 800V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 1.4A, 50V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 1.4A, 400V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1.3 V 1.3 V
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A
元件数量 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 1.4 A 1.4 A 1.4 A
最大重复峰值反向电压 800 V 50 V 400 V
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 NO NO NO
帮帮忙,急。
Dormancy of the one-chip computer---restore to the throne in the operation way and improve anti- interference ability请帮忙翻译这段文字,急用。...
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