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BF995E6327

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小273KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BF995E6327概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN

BF995E6327规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码SOT-143
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.03 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

BF995E6327相似产品对比

BF995E6327
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN
厂商名称 Infineon(英飞凌)
零件包装代码 SOT-143
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数 4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 SOURCE
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 0.03 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON

 
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