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MBM29LV002B-12PTR

产品描述Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共45页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MBM29LV002B-12PTR概述

Flash, 256KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40

MBM29LV002B-12PTR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
包装说明PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
其他特性MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1,2,1,3
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1-R
封装等效代码TSSOP40,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度10 mm
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