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HY5DW573222FP-28

产品描述DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-205DAE, FBGA-144
产品类别存储    存储   
文件大小260KB,共30页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HY5DW573222FP-28概述

DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-205DAE, FBGA-144

HY5DW573222FP-28规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA, BGA144,12X12,32
针数144
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)350 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B144
JESD-609代码e1
长度12 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA144,12X12,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8,2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.3 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度12 mm
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