Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> M5M41001AJ-12T

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M5M41001AJ-12T: 产品描述Nibble Mode DRAM, 1MX1, 120ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/20; 产品类别存储存储; 文件大小397KB，共14页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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M5M41001AJ-12T概述

Nibble Mode DRAM, 1MX1, 120ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/20

M5M41001AJ-12T规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ,
针数	20
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	NIBBLE
最长访问时间	120 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-J20
长度	17.5 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	NIBBLE MODE DRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	3.55 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

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M5M41001AJ-12T相似产品对比

	M5M41001AJ-12T	M5M41001AJ-10T	M5M41001AJ-8T
描述	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 120ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/20	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/20	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/20
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	SOJ,	SOJ,	SOJ,
针数	20	20	20
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	NIBBLE	NIBBLE	NIBBLE
最长访问时间	120 ns	100 ns	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-J20	R-PDSO-J20	R-PDSO-J20
长度	17.5 mm	17.5 mm	17.5 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bi
内存集成电路类型	NIBBLE MODE DRAM	NIBBLE MODE DRAM	NIBBLE MODE DRAM
内存宽度	1	1	1
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	20	20	20
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX1	1MX1	1MX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512
座面最大高度	3.55 mm	3.55 mm	3.55 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

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