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MGS907

产品描述Mixer Diode, Millimeter Wave Band, Gallium Arsenide, BEAM LEAD PACKAGE-4
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小945KB,共4页
制造商MACOM
官网地址http://www.macom.com
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MGS907概述

Mixer Diode, Millimeter Wave Band, Gallium Arsenide, BEAM LEAD PACKAGE-4

MGS907规格参数

参数名称属性值
厂商名称MACOM
包装说明R-XQMW-F4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置RING, 8 ELEMENTS
最大二极管电容0.04 pF
二极管元件材料GALLIUM ARSENIDE
二极管类型MIXER DIODE
频带MILLIMETER WAVE BAND
JESD-30 代码R-XQMW-F4
元件数量8
端子数量4
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.075 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MGS800/900 Series
GaAs Schottky Diodes
Description
The Aeroflex / Metelics MGS Series of GaAs Schottky diodes
are designed for optimum performance in millimeter wave
components operating to 60 GHz.
Features
Fourteen different configurations
Beam lead, Flip Chip or packaged devices
Hi-Rel screening per MIL-PRF-19500
and MIL-PRF-38534 available
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Reverse Voltage
Forward Current
Operation Temperature
Storage Temperature
DC Power Dissipation
Soldering Temperature (Packaged)
Beam Lead Pull Strength, Min
Rated V
BR
50 mA
-65 ºC to +150 ºC
-65 ºC to +150 ºC
75 mW per junction at T
A
= 25 ºC,
derate linearly to zero at T
A
= +150 ºC
+260 ºC for 5 sec per JEDEC J-STD-20C
6 grams
Rating
Revision Date:Revision Date: 8/18/2012
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