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NS32828D-70/A+

产品描述IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,DIP,52PIN
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小2MB,共23页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比 文档解析

NS32828D-70/A+概述

IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,DIP,52PIN

NS32828D-70/A+规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明DIP, DIP52,.6
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-XDIP-T52
JESD-609代码e0
端子数量52
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP52,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
最大压摆率240 mA
标称供电电压5 V
表面贴装NO
技术TTL
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

文档解析

"No-Waitstate CPU interface" 是一种设计技术,它允许中央处理单元(CPU)在访问动态随机存取存储器(DRAM)时不需要等待周期(wait states)。在传统的系统中,当CPU访问速度较慢的存储器时,可能需要插入等待周期以确保数据在CPU尝试读取或写入时已经准备就绪。这会降低系统的整体性能,因为CPU在等待存储器数据时会处于空闲状态。

在这份技术手册中,DP8428和DP8429 1M DRAM控制器/驱动器通过以下方式实现了"No-Waitstate CPU interface":

  1. 集成关键功能:每个设备将多个关键的1M DRAM控制器功能集成在一个单片单态设备上,包括超精确的延迟线、9位刷新计数器、落透行、列和银行选择输入锁存器等。

  2. 超精确延迟线:使用一种新的专利延迟线技术,保持地址和命令信号的时序,即使在Vcc电压范围和温度范围内变化时,也能保持AC偏斜在±3纳秒以内。

  3. 高电容驱动:板上具有高电容负载的RAS、CAS、写使能(WE)和地址输出驱动器,这有助于减少信号传输时间。

  4. 刷新和访问模式:DP8428和DP8429提供了两种刷新模式和两种访问模式,允许用户根据需要选择自动或外部控制模式。

  5. 隐藏刷新功能:在某些模式下,控制器可以在不干扰CPU访问的情况下自动执行DRAM刷新,这样就不会增加CPU访问存储器的等待时间。

  6. 低功耗/高速度:使用National的先进低压Schottky(ALS)工艺,这些设备在降低功耗的同时提高了速度。

通过实现"No-Waitstate CPU interface",DP8428和DP8429允许系统在高达10MHz或更高的频率下操作,而不需要CPU等待存储器访问完成,从而显著提高了系统的性能。此外,通过减少外部组件数量,还有助于减少板空间、降低系统成本,并提高系统的可靠性。

NS32828D-70/A+相似产品对比

NS32828D-70/A+ NS32828V-70/B+ DP8428V-70/A+ DP8428V-70/B+ DP8428V-80/A+
描述 IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,DIP,52PIN IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,LDCC,68PIN IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,LDCC,68PIN IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,LDCC,68PIN IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,LDCC,68PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
包装说明 DIP, DIP52,.6 QCCJ, LDCC68,1.0SQ QCCJ, LDCC68,1.0SQ QCCJ, LDCC68,1.0SQ QCCJ, LDCC68,1.0SQ
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
JESD-30 代码 R-XDIP-T52 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
端子数量 52 68 68 68 68
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
封装主体材料 CERAMIC PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ
封装等效代码 DIP52,.6 LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ
封装形状 RECTANGULAR SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
最大压摆率 240 mA 240 mA 240 mA 240 mA 240 mA
标称供电电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES YES YES
技术 TTL TTL TTL TTL TTL
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD QUAD QUAD QUAD
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