IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,DIP,52PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
| 包装说明 | DIP, DIP52,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T52 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 端子数量 | 52 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP52,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 最大压摆率 | 240 mA |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
"No-Waitstate CPU interface" 是一种设计技术,它允许中央处理单元(CPU)在访问动态随机存取存储器(DRAM)时不需要等待周期(wait states)。在传统的系统中,当CPU访问速度较慢的存储器时,可能需要插入等待周期以确保数据在CPU尝试读取或写入时已经准备就绪。这会降低系统的整体性能,因为CPU在等待存储器数据时会处于空闲状态。
在这份技术手册中,DP8428和DP8429 1M DRAM控制器/驱动器通过以下方式实现了"No-Waitstate CPU interface":
集成关键功能:每个设备将多个关键的1M DRAM控制器功能集成在一个单片单态设备上,包括超精确的延迟线、9位刷新计数器、落透行、列和银行选择输入锁存器等。
超精确延迟线:使用一种新的专利延迟线技术,保持地址和命令信号的时序,即使在Vcc电压范围和温度范围内变化时,也能保持AC偏斜在±3纳秒以内。
高电容驱动:板上具有高电容负载的RAS、CAS、写使能(WE)和地址输出驱动器,这有助于减少信号传输时间。
刷新和访问模式:DP8428和DP8429提供了两种刷新模式和两种访问模式,允许用户根据需要选择自动或外部控制模式。
隐藏刷新功能:在某些模式下,控制器可以在不干扰CPU访问的情况下自动执行DRAM刷新,这样就不会增加CPU访问存储器的等待时间。
低功耗/高速度:使用National的先进低压Schottky(ALS)工艺,这些设备在降低功耗的同时提高了速度。
通过实现"No-Waitstate CPU interface",DP8428和DP8429允许系统在高达10MHz或更高的频率下操作,而不需要CPU等待存储器访问完成,从而显著提高了系统的性能。此外,通过减少外部组件数量,还有助于减少板空间、降低系统成本,并提高系统的可靠性。
| NS32828D-70/A+ | NS32828V-70/B+ | DP8428V-70/A+ | DP8428V-70/B+ | DP8428V-80/A+ | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,DIP,52PIN | IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,LDCC,68PIN | IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,LDCC,68PIN | IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,LDCC,68PIN | IC,MEMORY CONTROLLER,ALS-TTL,LDCC,68PIN |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) |
| 包装说明 | DIP, DIP52,.6 | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | QCCJ, LDCC68,1.0SQ |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T52 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 端子数量 | 52 | 68 | 68 | 68 | 68 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | QCCJ | QCCJ | QCCJ | QCCJ |
| 封装等效代码 | DIP52,.6 | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 最大压摆率 | 240 mA | 240 mA | 240 mA | 240 mA | 240 mA |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | TTL | TTL | TTL | TTL | TTL |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
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