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SST29EE020-120-4C-PH

产品描述Flash, 256KX8, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32
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文件大小306KB,共26页
制造商Silicon Laboratories Inc
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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SST29EE020-120-4C-PH概述

Flash, 256KX8, 120ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32

SST29EE020-120-4C-PH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Silicon Laboratories Inc
零件包装代码DIP
包装说明0.600 INCH, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDIP-T32
JESD-609代码e0
长度41.91 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
切换位YES
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
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