IRG4BH20K-STRR,IRG4BH20K-STRR pdf中文资料,IRG4BH20K-STRR引脚图,IRG4BH20K-STRR电路-Datasheet-电子工程世界

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IRG4BH20K-STRR: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小249KB，共9页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRG4BH20K-STRR概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3

IRG4BH20K-STRR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	11 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE
最大降落时间（tf）	400 ns
门极发射器阈值电压最大值	6 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	24 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	720 ns
标称接通时间 (ton)	51 ns

IRG4BH20K-STRR相似产品对比

	IRG4BH20K-STRR	IRG4BH20K-S	IRG4BH20K-STRRPBF	IRG4BH20K-STRLPBF	IRG4BH20K-STRL
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant	compliant
其他特性	LOW CONDUCTION LOSS	LOW CONDUCTION LOSS	LOW CONDUCTION LOSS	LOW CONDUCTION LOSS	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	11 A	11 A	11 A	11 A	11 A
集电极-发射极最大电压	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值	6 V	6.5 V	6.5 V	6.5 V	6 V
门极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	e0	e3	e3	e0
湿度敏感等级	1	1	1	1	1
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	260	260	225
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	24 W	24 W	60 W	60 W	24 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30
晶体管应用	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	720 ns	720 ns	720 ns	720 ns	720 ns
标称接通时间 (ton)	51 ns	51 ns	51 ns	51 ns	51 ns
最大降落时间（tf）	400 ns	-	400 ns	400 ns	400 ns

IRG4BH20K-STRR

IRG4BH20K-STRR概述

IRG4BH20K-STRR规格参数

IRG4BH20K-STRR相似产品对比

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