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K8A6415EBC-FE7B0

产品描述Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-88
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共54页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K8A6415EBC-FE7B0概述

Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-88

K8A6415EBC-FE7B0规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明8 X 11 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-88
针数88
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间70 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B88
长度11 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
部门数/规模8,127
端子数量88
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA88,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小8 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.1 mm
部门规模4K,32K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度8 mm
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