Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.3 A |
集电极-发射极最大电压 | 32 V |
配置 | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 5000 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
2SC2062STP | 2SD2470TP | |
---|---|---|
描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.3 A | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 32 V | 10 V |
配置 | DARLINGTON | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 5000 | 270 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e1 | e1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | ROUND |
封装形式 | IN-LINE | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W | 0.4 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |