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2SC2062STP

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小37KB,共1页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SC2062STP概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SC2062STP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.3 A
集电极-发射极最大电压32 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)5000
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SC2062STP相似产品对比

2SC2062STP 2SD2470TP
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.3 A 5 A
集电极-发射极最大电压 32 V 10 V
配置 DARLINGTON SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 5000 270
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e1 e1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR ROUND
封装形式 IN-LINE CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) TIN SILVER COPPER
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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