Standard SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Micross |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | LQFP, |
针数 | 100 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 10 ns |
其他特性 | AUTOMATIC POWER DOWN |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 20 mm |
内存密度 | 4718592 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 18 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 256KX18 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | PALLADIUM GOLD |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD |
宽度 | 14 mm |
AS5SS256K18DQ-10/883C | AS5SS256K18DB-8/883C | AS5SS256K18DB-9/883C | AS5SS256K18DQ-8/883C | AS5SS256K18DQ-9/883C | AS5SS256K18DB-10/883C | |
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描述 | Standard SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | Standard SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
零件包装代码 | QFP | BGA | BGA | QFP | QFP | BGA |
包装说明 | LQFP, | BGA, | BGA, | LQFP, | LQFP, | BGA, |
针数 | 100 | 119 | 119 | 100 | 100 | 119 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 10 ns | 8 ns | 8.5 ns | 8 ns | 8.5 ns | 10 ns |
其他特性 | AUTOMATIC POWER DOWN | AUTOMATIC POWER DOWN | AUTOMATIC POWER DOWN | AUTOMATIC POWER DOWN | AUTOMATIC POWER DOWN | AUTOMATIC POWER DOWN |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 | e4 | e4 | e4 |
内存密度 | 4718592 bit | 4718592 bit | 4718592 bit | 4718592 bit | 4718592 bit | 4718592 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 100 | 119 | 119 | 100 | 100 | 119 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
组织 | 256KX18 | 256KX18 | 256KX18 | 256KX18 | 256KX18 | 256KX18 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP | BGA | BGA | LQFP | LQFP | BGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE | GRID ARRAY | GRID ARRAY | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | PALLADIUM GOLD | PALLADIUM GOLD | PALLADIUM GOLD | PALLADIUM GOLD | PALLADIUM GOLD | PALLADIUM GOLD |
端子形式 | GULL WING | BALL | BALL | GULL WING | GULL WING | BALL |
端子位置 | QUAD | BOTTOM | BOTTOM | QUAD | QUAD | BOTTOM |
厂商名称 | Micross | - | - | Micross | Micross | Micross |
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