HYB18T256800AC-3.7概述

DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 10 MM, MO-207DJ-Z, FBGA-60

HYB18T256800AC-3.7规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DSBGA
包装说明	FBGA,
针数	60
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	10.5 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C
最低工作温度
组织	32MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10 mm

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D a t a S h e e t , V 1 . 0 , M a r c h 2 0 04

HYB18T256400AC

HYB18T256800AC

HYB18T256160AC

256 Mbit DDR2 SDRAM

M e m o r y P r o d u c ts

N e v e r

s t o p

t h i n k i n g .

HYB18T256800AC-3.7相似产品对比

	HYB18T256800AC-3.7	HYB18T256800AC-5	HYB18T256160AC-3.7	HYB18T256160AC-5	HYB18T256400AC-3.7	HYB18T256400AC-5
描述	DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 10 MM, MO-207DJ-Z, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 10 MM, MO-207DJ-Z, FBGA-60	DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 12.50 X 10 MM, MO-207DK-Z, FBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, 12.50 X 10 MM, MO-207DK-Z, FBGA-84	DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 10 MM, MO-207DJ-Z, FBGA-60	DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 10 MM, MO-207DJ-Z, FBGA-60
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA
包装说明	FBGA,	FBGA,	FBGA,	FBGA,	FBGA,	FBGA,
针数	60	60	84	84	60	60
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns	0.6 ns	0.5 ns	0.6 ns	0.5 ns	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60
长度	10.5 mm	10.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	10.5 mm	10.5 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	8	16	16	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	60	60	84	84	60	60
字数	33554432 words	33554432 words	16777216 words	16777216 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	32000000	32000000	16000000	16000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C
组织	32MX8	32MX8	16MX16	16MX16	64MX4	64MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm

HYB18T256800AC-3.7

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