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HYB514171BJ-70

产品描述Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40
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文件大小1MB,共13页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB514171BJ-70概述

Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40

HYB514171BJ-70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J40
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度16
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ40,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

HYB514171BJ-70相似产品对比

HYB514171BJ-70 HYB514171BJL-60 HYB514171BJL-70
描述 Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40 Fast Page DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code unknown not_compliant not_compliant
最长访问时间 70 ns 60 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J40 R-PDSO-J40 R-PDSO-J40
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 16 16 16
端子数量 40 40 40
字数 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX16 256KX16 256KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ40,.44 SOJ40,.44 SOJ40,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512
自我刷新 NO YES YES
最大待机电流 0.001 A 0.0002 A 0.0002 A
最大压摆率 0.16 mA 0.17 mA 0.16 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL

 
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