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IRFR420ATM

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小225KB,共7页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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IRFR420ATM概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFR420ATM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.3 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)41 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

IRFR420ATM相似产品对比

IRFR420ATM IRFU420ATU IRFR420ATF
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
配置 Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.3 A 2.3 A 2.3 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 41 W 41 W 41 W
表面贴装 YES NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

 
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