Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFF220-JQR-BR1

IRFF220-JQR-BR1: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小12KB，共1页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/; 标准

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IRFF220-JQR-BR1概述

Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN

IRFF220-JQR-BR1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	TT Electronics plc
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	3.5 A
最大漏源导通电阻	0.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

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IRFF220

Dimensions in mm (inches).

8.64 (0.34)

9.40 (0.37)

8.01 (0.315)

9.01 (0.355)

4.06 (0.16)

4.57 (0.18)

N-Channel MOSFET

in a

Hermetically sealed TO39

Metal Package.

12.70

(0.500)

min.

0.89 max.

(0.035)

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

dia.

N-Channel MOSFET.

5.08 (0.200)

typ.

DSS

= 200V

2.54

(0.100)

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.53 (0.021)

= 3.5A

DS(ON)

= 0.8Ω

Ω

All Semelab hermetically sealed products can be

processed in accordance with the requirements

of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and

JANS specifications.

45°

TO39 (TO205AF)

PINOUTS

1 – Source

2 – Gate

3 - Drain

Parameter

DSS

DS(ON)

ISS

td(on)

td(off)

Drain – Source Breakdown Voltage

Continuous Drain Current

Power Dissipation

Static Drain – Source On–State Resistance

Input Capacitance

Total Gate Charge

Turn–On Delay Time

Rise Time

Turn–Off Delay Time

Fall Time

Min.

Typ.

Max.

200

3.5

0.8

Units

Ω

260

14.3

This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact

sales@semelab.co.uk.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail:

sales@semelab.co.uk

Website:

http://www.semelab.co.uk

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11-Oct-02

IRFF220-JQR-BR1相似产品对比

	IRFF220-JQR-BR1
描述	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
是否Rohs认证	符合
厂商名称	TT Electronics plc
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	3.5 A
最大漏源导通电阻	0.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
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端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
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