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IRF7YSZ44VCMPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小112KB,共7页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRF7YSZ44VCMPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

IRF7YSZ44VCMPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)71 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.0195 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRF7YSZ44VCMPBF相似产品对比

IRF7YSZ44VCMPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code compliant
雪崩能效等级(Eas) 71 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 20 A
最大漏源导通电阻 0.0195 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-257AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 80 A
表面贴装 NO
端子形式 PIN/PEG
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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晶体管元件材料 SILICON
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