Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | Single |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 18 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 18 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.18 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 220 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-204AE |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 72 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 80 ns |
| 最大开启时间（吨） | 30 ns |
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