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IRHLA7670Z4: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小316KB，共16页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IRHLA7670Z4概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14

IRHLA7670Z4规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.8 A
最大漏极电流 (ID)	0.8 A
最大漏源导通电阻	0.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XDSO-F14
JESD-609代码	e0
元件数量	4
端子数量	14
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.6 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRHLA7670Z4相似产品对比

	IRHLA7670Z4	2N7633M2
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14	HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14
Reach Compliance Code	unknown	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.8 A	0.8 A
最大漏极电流 (ID)	0.8 A	0.8 A
最大漏源导通电阻	0.6 Ω	0.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XDSO-F14	R-XDSO-F14
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	4	4
端子数量	14	14
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.6 W	0.6 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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