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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MV1632
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MV1632

产品描述Variable Capacitance Diode, 20pF C(T), 20V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小8KB，共1页
制造商Cobham PLC
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MV1632概述

Variable Capacitance Diode, 20pF C(T), 20V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

MV1632规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham PLC
包装说明GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压20 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比2
标称二极管电容20 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数250
最大重复峰值反向电压20 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT

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K
NOX
S
EMICONDUCTOR,
I
NC.
ABRUPT VARACTOR DIODES
MV1620 - MV1650
TYPE
NUMBER
MV1620
MV1622
MV1624
MV1626
MV1628
MV1630
MV1632
MV1634
MV1636
MV1638
MV1640
MV1642
MV1644
MV1646
MV1648
MV1650
C
T
DIODE CAPACITANCE
Vr = - 4 Vdc, f = 1 MHz
(pF)
MIN
NOM
MAX
6.1
6.8
7.5
7.4
8.2
9.0
9.0
10.0
11.0
10.8
12.0
13.2
13.5
15.0
16.5
16.2
18.0
19.8
18.0
20.0
22.0
19.8
22.0
24.2
24.3
27.0
29.7
29.7
33.0
36.3
35.1
39.0
42.9
42.3
47.0
51.7
50.4
56.0
61.6
61.2
68.0
74.8
73.8
82.0
90.2
90.0
100.0
110.0
Q, QUALITY FACTOR
Vr = - 4 Vdc
f = 50 MHz
MIN
300
300
300
300
250
250
250
250
200
200
200
200
150
150
150
150
TR, TUNING RATIO
C•2V / C•20V
f = 1 MHz
MIN
MAX
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
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3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
Package Style
DO-7
DC Power Dissipation
Min Reverse Breakdown Voltage
Max Reverse Current (I
R
)
Operating Temperature (Topr)
Storage Temperature (Tstg)
Junction Temperature
@ Ta = 25° C
@ Ir = 10 µA
@ 15 Vdc
400 mW
20 Vdc
0.1 µA Max
-65 to + 150° C
-65 to + 200° C
175° C
P.O. BOX 609 • ROCKPORT, MAINE 04856
• 207•236•6076
•
FAX 207•236•9558
-19-

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MV1632 MV1626 MV1622 MV1634 MV1644 MV1642
描述 Variable Capacitance Diode, 20pF C(T), 20V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2 Variable Capacitance Diode, 12pF C(T), 20V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2 Variable Capacitance Diode, 8.2pF C(T), 20V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2 Variable Capacitance Diode, 22pF C(T), 20V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2 Variable Capacitance Diode, 56pF C(T), 20V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2 Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), 20V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
厂商名称 Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC
包装说明 GLASS PACKAGE-2 GLASS PACKAGE-2 GLASS PACKAGE-2 GLASS PACKAGE-2 GLASS PACKAGE-2 GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最小击穿电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管电容容差 10% 10% 9.76% 10% 10% 10%
最小二极管电容比 2 2 2 2 2 2
标称二极管电容 20 pF 12 pF 8.2 pF 22 pF 56 pF 47 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7 DO-7
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.4 W 0.4 W 0.4 W 0.4 W 0.4 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小质量因数 250 300 300 250 150 200
最大重复峰值反向电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
变容二极管分类 ABRUPT ABRUPT ABRUPT ABRUPT ABRUPT ABRUPT

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