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CY7C2568KV18-450BZC: 产品描述4MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共30页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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CY7C2568KV18-450BZC概述

4MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165

CY7C2568KV18-450BZC规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Rochester Electronics
零件包装代码	BGA
包装说明	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
针数	165
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
长度	15 mm
内存密度	75497472 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	165
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	COMMERCIAL
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	13 mm

CY7C2568KV18-450BZC相似产品对比

	CY7C2568KV18-450BZC	CY7C2570KV18-400BZC	CY7C2568KV18-500BZC	CY7C2570KV18-450BZC	CY7C2568KV18-400BZC	CY7C2570KV18-500BZC
描述	4MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	2MX36 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	4MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	2MX36 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	4MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	2MX36 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
针数	165	165	165	165	165	165
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
长度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
内存密度	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM
内存宽度	18	36	18	36	18	36
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165	165	165
字数	4194304 words	2097152 words	4194304 words	2097152 words	4194304 words	2097152 words
字数代码	4000000	2000000	4000000	2000000	4000000	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX18	2MX36	4MX18	2MX36	4MX18	2MX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	-	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics

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