IS27C256-12WI,IS27C256-12WI pdf中文资料,IS27C256-12WI引脚图,IS27C256-12WI电路-Datasheet-电子工程世界

IS27C256-12WI: 产品描述OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小389KB，共10页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS27C256-12WI概述

OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

IS27C256-12WI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	DIP
包装说明	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	36.576 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.699 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm

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描述	OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	OTP ROM, 32KX8, 90ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	UVPROM, 32KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	UVPROM, 32KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	UVPROM, 32KX8, 90ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	UVPROM, 32KX8, 90ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	UVPROM, 32KX8, 150ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	UVPROM, 32KX8, 150ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28
针数	28	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	150 ns	90 ns	120 ns	120 ns	90 ns	90 ns	150 ns	150 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	DIP	WDIP	WDIP	WDIP	WDIP	WDIP	WDIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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