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BDS29A

产品描述Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, Metal, 3 Pin, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB,共3页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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BDS29A概述

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, Metal, 3 Pin, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

BDS29A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明HERMETIC SEALED PACKAGE-3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)200
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz

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