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74LVC2G38GD: 产品描述Hex Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 16-SOIC -40 to 85; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小81KB，共16页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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74LVC2G38GD概述

Hex Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 16-SOIC -40 to 85

74LVC2G38GD规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SON
包装说明	3 X 2 MM, 0.50 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, SOT996-2, SON-8
针数	8
Reach Compliance Code	unknow
系列	LVC/LCX/Z
JESD-30 代码	R-PDSO-N8
JESD-609代码	e4
长度	3 mm
逻辑集成电路类型	NAND GATE
湿度敏感等级	1
功能数量	2
输入次数	2
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
输出特性	OPEN-DRAIN
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSON
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
传播延迟（tpd）	10.8 ns
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	2 mm
Base Number Matches	1

74LVC2G38GD相似产品对比

	74LVC2G38GD	74LVC2G38	74LVC2G38DP	74LVC2G38GT	74LVC2G38GM
描述	Hex Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 16-SOIC -40 to 85	Hex Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 16-SOIC -40 to 85	Hex Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 16-SOIC -40 to 85	Hex Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 16-SOIC -40 to 85	Hex Buffers And Line Drivers With 3-State Outputs 16-SOIC -40 to 85
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SON	-	SOIC	SON	QFN
包装说明	3 X 2 MM, 0.50 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, SOT996-2, SON-8	-	TSSOP,	1 X 1.95 MM, 0.50 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, MO-252, SOT833-1, SON-8	HVQCCN,
针数	8	-	8	8	8
Reach Compliance Code	unknow	-	compli	compli	compli
系列	LVC/LCX/Z	-	LVC/LCX/Z	LVC/LCX/Z	LVC/LCX/Z
JESD-30 代码	R-PDSO-N8	-	S-PDSO-G8	R-PDSO-N8	S-PQCC-N8
JESD-609代码	e4	-	e4	e3	e4
长度	3 mm	-	3 mm	1.95 mm	1.6 mm
逻辑集成电路类型	NAND GATE	-	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE
湿度敏感等级	1	-	1	1	1
功能数量	2	-	2	2	2
输入次数	2	-	2	2	2
端子数量	8	-	8	8	8
最高工作温度	125 °C	-	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C
输出特性	OPEN-DRAIN	-	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSON	-	TSSOP	VSON	HVQCCN
封装形状	RECTANGULAR	-	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260	-	260
传播延迟（tpd）	10.8 ns	-	10.8 ns	10.8 ns	10.8 ns
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	0.5 mm	-	1.1 mm	0.5 mm	0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V	-	1.65 V	1.65 V	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	-	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	NICKEL PALLADIUM GOLD	-	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Tin (Sn)	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式	NO LEAD	-	GULL WING	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.5 mm	-	0.65 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	30	-	30
宽度	2 mm	-	3 mm	1 mm	1.6 mm
Base Number Matches	1	-	1	-	1

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