Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏源导通电阻 | 0.034 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
晶体管元件材料 | SILICON |
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