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IRFC044

产品描述Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小47KB,共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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IRFC044概述

Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3

IRFC044规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏源导通电阻0.034 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度125 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON

 
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