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BAT42

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小118KB,共2页
制造商Rectron
标准  
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BAT42概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

BAT42规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron
零件包装代码DO-35
包装说明HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)265
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.005 µs
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

BAT42相似产品对比

BAT42
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Rectron
零件包装代码 DO-35
包装说明 HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数 2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 125 °C
最大输出电流 0.2 A
封装主体材料 GLASS
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) 265
最大功率耗散 0.2 W
认证状态 Not Qualified
最大反向恢复时间 0.005 µs
表面贴装 NO
技术 SCHOTTKY
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE
端子位置 AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED

 
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