Rectifier Diode
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Bytesonic Corporation |
Reach Compliance Code | unknown |
最小击穿电压 | 800 V |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.1 V |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T4 |
最大非重复峰值正向电流 | 50 A |
元件数量 | 4 |
相数 | 1 |
端子数量 | 4 |
最大输出电流 | 2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
最大重复峰值反向电压 | 800 V |
最大反向电流 | 5 µA |
反向测试电压 | 800 V |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
KBJ2K | KBJ2M | KBJ2B | |
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描述 | Rectifier Diode | Rectifier Diode, | Rectifier Diode |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Bytesonic Corporation | Bytesonic Corporation | Bytesonic Corporation |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow |
最小击穿电压 | 800 V | 1000 V | 100 V |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T4 | R-PSIP-T4 | R-PSIP-T4 |
最大非重复峰值正向电流 | 50 A | 50 A | 50 A |
元件数量 | 4 | 4 | 4 |
相数 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 | 4 |
最大输出电流 | 2 A | 2 A | 2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
最大重复峰值反向电压 | 800 V | 1000 V | 100 V |
最大反向电流 | 5 µA | 5 µA | 5 µA |
反向测试电压 | 800 V | 1000 V | 100 V |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
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