IC OP-AMP, 2000 uV OFFSET-MAX, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Operational Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.075 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.075 µA |
| 标称共模抑制比 | 80 dB |
| 频率补偿 | NO |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-偏置 | NO |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 负供电电压上限 | -22 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -20 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 功率 | YES |
| 电源 | +-5/+-20 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 最小摆率 | 0.2 V/us |
| 最大压摆率 | 3 mA |
| 供电电压上限 | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 20 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 最小电压增益 | 10000 |
| 宽带 | NO |
| 5962R9951501VPA | 5962R9951501VHA | |
|---|---|---|
| 描述 | IC OP-AMP, 2000 uV OFFSET-MAX, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 3000 uV OFFSET-MAX, CDFP10, CERPACK-10, Operational Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP | DFP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | DFP, FL10,.3 |
| 针数 | 8 | 10 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.075 µA | 0.1 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.075 µA | 0.075 µA |
| 标称共模抑制比 | 80 dB | 80 dB |
| 频率补偿 | NO | NO |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV | 3000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | R-GDFP-F10 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 低-偏置 | NO | NO |
| 低-失调 | NO | NO |
| 微功率 | NO | NO |
| 负供电电压上限 | -22 V | -22 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -20 V | -5 V |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DFP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | FL10,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 功率 | YES | YES |
| 电源 | +-5/+-20 V | +-5/+-20 V |
| 可编程功率 | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V |
| 最小摆率 | 0.2 V/us | 0.2 V/us |
| 最大压摆率 | 3 mA | 3 mA |
| 供电电压上限 | 22 V | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 20 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最小电压增益 | 10000 | 10000 |
| 宽带 | NO | NO |
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