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BZV55B56L1

产品描述Zener Diode, 56V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AC, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MINIMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小365KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BZV55B56L1概述

Zener Diode, 56V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AC, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MINIMELF-2

BZV55B56L1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MINIMELF-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AC
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压56 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间30
最大电压容差2%
工作测试电流2.5 mA

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BZV55B2V4-BZV55B75
500mW,2% Tolerance Zener Diode
Small Signal Diode
Mini-MELF (LL34)
HERMETICALLY SEALED GLASS
Features
Wide zener voltage range selection:2.4V to 75V
Vz Tolerance Selection of ±2%
Designed for through-Hole Device Type Mounting
Hermetically Sealed Glass
Pb free version and RoHS compliant
High reliability glass passivation insuring parameter
stability and protection against junction contamination
Unit (mm)
Min
3.30
1.40
0.25
1.25
Mechanical Data
Case : Mini-MELF Package (JEDEC DO-213AC)
High temperature soldering guaranteed : 270°C/10s
Polarity : Indicated by cathode band
Weight : approx. 31 mg
Dimensions
A
B
C
D
Unit (inch)
Min
0.130
0.055
0.010
0.049
Max
3.70
1.60
0.40
1.40
Max
0.146
0.063
0.016
0.055
Ordering Information
Part No.
BZV55B2V4-75
BZV55B2V4-75
Package code
L0
L1
Package
LL34
LL34
Packing
10K / 13" Reel
2.5K / 7" Reel
Suggested PAD Layout
1.25
0.049
2.00
2.50
0.079
0.098
5.00
0.197
mm
inch
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings
Type Number
Power Dissipation
Maximum Forward Voltage @I
F
=100mA
Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 1)
Storage Temperature Range
Symbol
P
D
V
F
RθJA
T
J
,T
STG
Value
500
1
300
-65 to + 175
Units
mW
V
°C/W
°C
Zener I vs.V Characteristics
Current
I
F
V
ZM
V
Z
V
BR
V
R
I
R
I
ZK
V
F
Voltage
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
Forward Region
: Voltage at I
ZK
: Test current for voltage V
BR
: Dynamic impedance at I
ZK
: Test current for voltage V
Z
: Voltage at current I
ZT
: Dynamic impedance at I
ZT
: Maximum steady state current
: Voltage at I
ZM
I
ZT
I
ZM
BreakdownRegion
Leakage Region
I
ZM
V
ZM
Version : C11

 
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