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ISL43231IR: 产品描述TRIPLE 2-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, PQCC20, 4 X 4 MM, PLASTIC, MO-220VGGD-1, QFN-20; 产品类别模拟混合信号IC 信号电路; 文件大小804KB，共16页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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ISL43231IR概述

TRIPLE 2-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, PQCC20, 4 X 4 MM, PLASTIC, MO-220VGGD-1, QFN-20

ISL43231IR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	QFN
包装说明	4 X 4 MM, PLASTIC, MO-220VGGD-1, QFN-20
针数	20
Reach Compliance Code	not_compliant
模拟集成电路 - 其他类型	SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码	S-PQCC-N20
JESD-609代码	e0
长度	4 mm
湿度敏感等级	1
负电源电压最大值（Vsup）	-6 V
负电源电压最小值（Vsup）	-2 V
标称负供电电压 (Vsup)	-5 V
信道数量	2
功能数量	3
端子数量	20
标称断态隔离度	92 dB
通态电阻匹配规范	1.3 Ω
最大通态电阻 (Ron)	50 Ω
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
输出	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVQCCN
封装等效代码	LCC20,.16SQ,20
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	+-2/+-6/2/12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
最长断开时间	35 ns
最长接通时间	50 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	4 mm

ISL43231IR相似产品对比

	ISL43231IR	ISL43231IRZ	ISL43231IRZ-T
描述	TRIPLE 2-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, PQCC20, 4 X 4 MM, PLASTIC, MO-220VGGD-1, QFN-20	TRIPLE 2-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, PQCC20, 4 X 4 MM, LEAD FREE, PLASTIC, MO-220VGGD-1, QFN-20	TRIPLE 2-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, PQCC20, 4 X 4 MM, LEAD FREE, PLASTIC, MO-220VGGD-1, QFN-20
是否Rohs认证	不符合	符合	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	QFN	QFN	QFN
包装说明	4 X 4 MM, PLASTIC, MO-220VGGD-1, QFN-20	HVQCCN, LCC20,.16SQ,20	HVQCCN, LCC20,.16SQ,20
针数	20	20	20
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	compliant
模拟集成电路 - 其他类型	SINGLE-ENDED MULTIPLEXER	SINGLE-ENDED MULTIPLEXER	SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码	S-PQCC-N20	S-PQCC-N20	S-PQCC-N20
JESD-609代码	e0	e3	e3
长度	4 mm	4 mm	4 mm
湿度敏感等级	1	3	3
负电源电压最大值（Vsup）	-6 V	-6 V	-6 V
负电源电压最小值（Vsup）	-2 V	-2 V	-2 V
标称负供电电压 (Vsup)	-5 V	-5 V	-5 V
信道数量	2	2	2
功能数量	3	3	3
端子数量	20	20	20
标称断态隔离度	92 dB	92 dB	92 dB
通态电阻匹配规范	1.3 Ω	1.3 Ω	1.3 Ω
最大通态电阻 (Ron)	50 Ω	50 Ω	50 Ω
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
输出	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVQCCN	HVQCCN	HVQCCN
封装等效代码	LCC20,.16SQ,20	LCC20,.16SQ,20	LCC20,.16SQ,20
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	240	260	260
电源	+-2/+-6/2/12 V	+-2/+-6/2/12 V	+-2/+-6/2/12 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1 mm	1 mm	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	6 V	6 V	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2 V	2 V	2 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES
最长断开时间	35 ns	35 ns	35 ns
最长接通时间	50 ns	50 ns	50 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	40
宽度	4 mm	4 mm	4 mm
是否无铅	-	不含铅	不含铅

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