BYV42EB100T/R概述

Rectifier Diode, 30A, 100V V(RRM),

BYV42EB100T/R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	160 A
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	30 A
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向恢复时间	0.028 µs
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)

	BYV42EB100T/R	BYV42EB100
描述	Rectifier Diode, 30A, 100V V(RRM),	Rectifier Diode, 30A, 100V V(RRM),
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.2 V
JESD-609代码	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	160 A	160 A
最高工作温度	150 °C	150 °C
最大输出电流	30 A	30 A
最大重复峰值反向电压	100 V	100 V
最大反向恢复时间	0.028 µs	0.028 µs
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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