Power Field-Effect Transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Nexperia |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas) | 100 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 50 V |
最大漏极电流 (ID) | 12 A |
最大漏源导通电阻 | 0.036 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 47 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
BUK9832-55AT/R | 934056573115 | BUK9832-55A | |
---|---|---|---|
描述 | Power Field-Effect Transistor | Power Field-Effect Transistor | Power Field-Effect Transistor |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Nexperia | Nexperia | Nexperia |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas) | 100 mJ | 100 mJ | 100 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 50 V | 50 V | 50 V |
最大漏极电流 (ID) | 12 A | 12 A | 12 A |
最大漏源导通电阻 | 0.036 Ω | 0.036 Ω | 0.036 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 47 A | 47 A | 47 A |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
JESD-609代码 | - | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
端子面层 | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved