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GM71C4256ASJ-10

产品描述Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO20,
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文件大小469KB,共18页
制造商Goldstar Electron Co Ltd
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GM71C4256ASJ-10概述

Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO20,

GM71C4256ASJ-10规格参数

参数名称属性值
厂商名称Goldstar Electron Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-J20
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期512
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子位置DUAL
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