Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO20,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Goldstar Electron Co Ltd |
Reach Compliance Code | unknown |
访问模式 | FAST PAGE |
最长访问时间 | 100 ns |
其他特性 | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; BATTERY BACKUP REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J20 |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 20 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX4 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 512 |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | J BEND |
端子位置 | DUAL |
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