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BUK9629-100B

产品描述Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小436KB,共13页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
标准
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BUK9629-100B概述

Power Field-Effect Transistor

BUK9629-100B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codenot_compliant
雪崩能效等级(Eas)152 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)46 A
最大漏源导通电阻0.032 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)186 A
参考标准AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BUK9629-100B相似产品对比

BUK9629-100B 934057743118
描述 Power Field-Effect Transistor Power Field-Effect Transistor
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Nexperia Nexperia
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
雪崩能效等级(Eas) 152 mJ 152 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 46 A 46 A
最大漏源导通电阻 0.032 Ω 0.032 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 186 A 186 A
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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