MXR5KP6.0E3,MXR5KP6.0E3 pdf中文资料,MXR5KP6.0E3引脚图,MXR5KP6.0E3电路-Datasheet-电子工程世界

MXR5KP6.0E3: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5R, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小217KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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MXR5KP6.0E3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5R, 2 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5R, 2 PIN
针数	2
制造商包装代码	CASE 5R
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	8.15 V
最小击穿电压	6.67 V
击穿电压标称值	7.41 V
最大钳位电压	11.4 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-PBCY-T2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	5000 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.56 W
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500
最大重复峰值反向电压	6 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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