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BZG05C9V1/2Q-E3

产品描述DIODE 9.1 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Voltage Regulator Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小22KB,共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准  
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BZG05C9V1/2Q-E3概述

DIODE 9.1 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Voltage Regulator Diode

BZG05C9V1/2Q-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-214AC
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.25 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压9.1 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层MATTE TIN
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
最大电压容差6.08%
工作测试电流25 mA

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BZG05C Series
New Product
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Surface Mount Glass Passivated Zeners
DO-214AC (SMA)
Cathode Band
Zener Voltage
3.3 to 15V
Steady State Power
1.25W
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
Mounting Pad Layout
0.060 MIN
(1.52 MIN)
0.094 MAX
(2.38 MAX)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.050 MIN
(1.27 MIN)
0.008 (0.203) MAX.
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.220 REF
(5.58)
Dimensions in inches and (millimeters)
Mechanical Data
Case:
JEDEC DO-214AC molded plastic over
passivated junction
Terminals:
Solder plated, solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds at terminals
Polarity:
Color band denotes positive end (cathode)
Mounting Position:
Any
Weight:
0.002oz., 0.064g
Packaging Codes – Options (Antistatic):
2P – 1.8K per 7” plastic Reel
(12mm tape), 36K/carton
2Q – 7.5K per 13” plastic Reel
(12mm tape), 75K/carton
Features
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
• For surface mounted applications
• Planar, oxide passivated chip junction
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
Parameter
Power Dissipation
(1)
Non repetitive peak surge power dissipation
(2)
Maximum junction temperature
Storage temperature range
Typical thermal resistance junction to lead
Maximum thermal resistance junction to ambient
(1)
Notes:
(1) Mounted on aluminum-oxide substrate
(2) t
p
=100µs sq. pulse, T
J
=25°C prior to surge
A
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
P
tot
P
ZSM
T
J
T
stg
R
ΘJL
R
ΘJA
Value
1.25
60
150
–65 to +150
30
100
Unit
W
W
°C
°C
°C/W
°C/W
Document Number 88313
26-Apr-02
www.vishay.com
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