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BZT52-C3V3D4: 产品描述DIODE 3.3 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SO-2, Voltage Regulator Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小399KB，共9页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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BZT52-C3V3D4概述

DIODE 3.3 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SO-2, Voltage Regulator Diode

BZT52-C3V3D4规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	SOD
包装说明	R-PDSO-G2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.41 W
认证状态	Not Qualified
标称参考电压	3.3 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
最大电压容差	5%
工作测试电流	5 mA

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BZT52 Series

Zener Diodes

VZ Range

2.4 to 75

Power Dissipation

410mW

SOD-123

.022 (0.55)

Mounting Pad Layout

0.094 (2.40)

0.055 (1.40)

Cathode Band

.152 (3.85)

.140 (3.55)

.112 (2.85)

.100 (2.55)

Top View

Dimensions in inches

and (millimeters)

.053 (1.35)

max.

.004 (0.1)

max.

006 (0.15)

max.

.067 (1.70)

.055 (1.40)

Features

• Silicon Planar Power Zener Diodes

• The Zener voltages are graded according to the

international E 24 standard. Standard Zener volt-

age tolerance is ±5%. Replace suffix “C” with “B”

for ±2% tolerance. Other tolerances and other

Zener voltages are available upon request.

• These diodes are also available in other case

styles and other configurations including: the

SOT-23 case with type designation BZX84 series,

the dual zener diode common anode configuration

in the SOT-23 case with type

designation AZ23 series and the dual zener diode

common cathode configuration in the SOT-23

case with type designation DZ23 series.

Mechanical Data

Case:

SOD-123 Plastic Case

Weight:

approx. 0.01g

Packaging Codes/Options:

D3 / 10K per 13” reel (8mm tape)

D4 / 3K per 7” reel (8mm tape)

Maximum Ratings and Thermal Characteristics

Parameter

Zener Current (see Table “Characteristics”)

Power Dissipation at Tamb = 25°C

Thermal Resistance

Junction to Ambient Air

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Notes:

(1) Diode on Ceramic Substrate 0.7mm; 2.5mm

area

(2) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Value

410

(1)

300

(2)

150

–65 to +150

Unit

tot

ΘJA

°C/W

°C

6/5/01

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