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1N5819

产品描述1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小283KB,共2页
制造商DIOTECH
官网地址http://www.kdiode.com/
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1N5819概述

1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1 A, 45 V, 硅, 信号二极管

1N5819规格参数

参数名称属性值
端子数量1
元件数量1
加工封装描述DIE-2
状态DISCONTINUED
包装形状SQUARE
包装尺寸UNCASED 芯片
表面贴装Yes
端子形式NO 铅
端子涂层锡 铅
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压45 V
最大平均正向电流1 A

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1N5817 THRU 1N5819
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Reverse Voltage - 20 to 40 Volts
Forward Current - 1.0 Ampere
FEATURES
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Metal silicon junction,majority carrier conduction
Guardring for overvoltage protection
Low power loss,high efficiency
High current capability,low forward voltage drop
High surge capability
For use in low voltage,high frequency inverters,
free wheeling,and polarity protection applications
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
DO-41
1.0 (25.4)
MIN.
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
DIA.
0.205 (5.2)
0.160(4.1)
MECHANICAL DATA
Case
: JEDEC DO-41 molded plastic body
Terminals
: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity
: Color band denotes cathode end
Mounting Position
: Any
Weight
:0.012 ounce, 0.33 grams
1.0 (25.4)
MIN.
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for current capacitive load derate by 20%.
Characteristic
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length at T
L
=90 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction and storage temperature range
SYMBOLS
1N5817
1N5818
1N5819
UNITS
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
q
JA
T
J
,
T
STG
20
14
20
30
21
30
1.0
25.0
40
28
40
0.450
0.550
1.0
10.0
110.0
50.0
-65 to +125
0.600
V
mA
pF
C/W
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted

1N5819相似产品对比

1N5819 1N5818 1N5817
描述 1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-41
状态 DISCONTINUED TRANSFERRED CONSULT MFR
二极管类型 信号二极管 信号二极管 整流二极管
端子数量 1 2 -
元件数量 1 1 -
加工封装描述 DIE-2 塑料, DO-41, 2 PIN -
包装形状 SQUARE -
包装尺寸 UNCASED 芯片 LONG FORM -
端子形式 NO 铅 线 -
端子位置 UPPER AXIAL -
包装材料 UNSPECIFIED 塑料/环氧树脂 -
工艺 SCHOTTKY SCHOTTKY -
结构 单一的 单一的 -
壳体连接 隔离 隔离 -
二极管元件材料 -
最大重复峰值反向电压 45 V 30 V -
最大平均正向电流 1 A 1 A -
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