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1N5405: 产品描述3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小283KB，共2页; 制造商DIOTECH; 官网地址http://www.kdiode.com/

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1N5405概述

3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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1N5400 THRU 1N5408

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts

GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER

Forward Current - 3.0 Ampere

FEATURES

●

The plastic package carries Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

Construction utilizes void-free

molded plastic technique

Low reverse leakage

High forward surge current capability

High temperature soldering guaranteed:

250 C/10 seconds,0.375

”

(9.5mm) lead length,

5 lbs. (2.3kg) tension

DO-201AD

1.0 (25.4)

MIN.

0.220 (5.6)

0.197(5.0)

DIA.

0.375(9.5)

0.285(7.2)

MECHANICAL DATA

Case

: JEDEC DO-201AD molded plastic body

Terminals

: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity

: Color band denotes cathode end

Mounting Position

: Any

Weight

:0.04 ounce, 1.10 grams

1.0 (25.4)

MIN.

0.052 (1.3)

0.048 (1.2)

DIA.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.

Characteristic

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

0.375”(9.5mm) lead length at T

=75 C

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A

Maximum DC reverse current

=25 C

at rated DC blocking voltage

=100 C

Typical junction capacitance (NOTE 1)

Typical thermal resistance (NOTE 2)

Operating junction and storage temperature range

SYMBOLS

1N 1N

5400 5401 5402 5403 5404 5405 5406 5407 5408

UNITS

µA

RRM

RMS

(AV)

FSM

STG

100 200 300 400 500

70 140 210 280 350

100 200 300 400 500

3.0

200

1.1

5.0

100

30.0

20.0

-65 to +150

600 800 1000

420 560 700

600 800 1000

C/W

Note:1.Measured

at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted

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	1N5405	1N5400	1N5401	1N5402	1N5403	1N5407	1N5404	1N5406	1N5408
描述	3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE,1KV V(RRM),DO-204AE
端子数量	-	2	2	2	-	-	2	2	-
元件数量	-	1	1	1	-	-	1	1	-
加工封装描述	-	塑料 PACKAGE-2	塑料 PACKAGE-2	塑料 PACKAGE-2	-	-	绿色, 塑料 PACKAGE-2	铅 FREE, 塑料, CASE 267-05, 2 PIN	-
状态	-	ACTIVE	ACTIVE	DISCONTINUED	-	-	ACTIVE	DISCONTINUED	CONSULT MFR
包装形状	-	圆	圆	圆	-	-	圆	圆	-
包装尺寸	-	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	-	-	LONG FORM	LONG FORM	-
端子形式	-	线	线	线	-	-	线	线	-
端子涂层	-	MATTE 锡	锡	锡铅	-	-	PURE 锡	MATTE 锡	-
端子位置	-	AXIAL	AXIAL	AXIAL	-	-	AXIAL	AXIAL	-
包装材料	-	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	-	-	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	-
结构	-	单一的	单一的	单一的	-	-	单一的	单一的	-
壳体连接	-	隔离	隔离	隔离	-	-	隔离	隔离	-
二极管元件材料	-	硅	硅	硅	-	-	硅	硅	-
二极管类型	-	整流二极管	整流二极管	整流二极管	-	-	整流二极管	整流二极管	整流二极管
应用	-	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	-	-	EFFICIENCY	GENERAL PURPOSE	-
相数	-	1	1	1	-	-	1	1	-
最大重复峰值反向电压	-	50 V	100 V	200 V	-	-	400 V	600 V	-
最大平均正向电流	-	3 A	3 A	3 A	-	-	3 A	3 A	-
最大非重复峰值正向电流	-	200 A	200 A	200 A	-	-	200 A	200 A	-

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