Low-power dual buffer with open-drain output
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | SOT-363 |
包装说明 | TSSOP, TSSOP6,.08 |
针数 | 6 |
Reach Compliance Code | compli |
系列 | AUP/ULP/V |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 2 mm |
负载电容(CL) | 30 pF |
逻辑集成电路类型 | BUFFER |
最大I(ol) | 0.0017 A |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 2 |
输入次数 | 1 |
端子数量 | 6 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
输出特性 | OPEN-DRAIN |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP6,.08 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
包装方法 | TAPE AND REEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 1.2/3.3 V |
Prop。Delay @ Nom-Su | 20.7 ns |
传播延迟(tpd) | 20.7 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | NO |
座面最大高度 | 1.1 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 0.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.1 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 1.25 mm |
74AUP2G07GW | 74AUP2G07GF | 74AUP2G07GM | 74AUP2G07 | |
---|---|---|---|---|
描述 | Low-power dual buffer with open-drain output | Low-power dual buffer with open-drain output | Low-power dual buffer with open-drain output | Low-power dual buffer with open-drain output |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | - |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | - |
零件包装代码 | SOT-363 | SON | SON | - |
包装说明 | TSSOP, TSSOP6,.08 | 1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, SOT-891, SON-6 | 1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6 | - |
针数 | 6 | 6 | 6 | - |
Reach Compliance Code | compli | compli | compli | - |
系列 | AUP/ULP/V | AUP/ULP/V | AUP/ULP/V | - |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | S-PDSO-N6 | R-PDSO-N6 | - |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | - |
长度 | 2 mm | 1 mm | 1.45 mm | - |
负载电容(CL) | 30 pF | 30 pF | 30 pF | - |
逻辑集成电路类型 | BUFFER | BUFFER | BUFFER | - |
最大I(ol) | 0.0017 A | 0.0017 A | 0.0017 A | - |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | - |
功能数量 | 2 | 2 | 2 | - |
输入次数 | 1 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 6 | 6 | 6 | - |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | - |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | - |
输出特性 | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装代码 | TSSOP | VSON | VSON | - |
封装等效代码 | TSSOP6,.08 | SOLCC6,.04,14 | SOLCC6,.04,20 | - |
封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR | - |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | - |
包装方法 | TAPE AND REEL | TAPE AND REEL | TAPE AND REEL | - |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 | - |
电源 | 1.2/3.3 V | 1.2/3.3 V | 1.2/3.3 V | - |
Prop。Delay @ Nom-Su | 20.7 ns | 20.7 ns | 20.7 ns | - |
传播延迟(tpd) | 20.7 ns | 20.7 ns | 20.7 ns | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
施密特触发器 | NO | NO | NO | - |
座面最大高度 | 1.1 mm | 0.5 mm | 0.5 mm | - |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | - |
最小供电电压 (Vsup) | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V | - |
标称供电电压 (Vsup) | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V | - |
表面贴装 | YES | YES | YES | - |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | - |
温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | - |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - |
端子形式 | GULL WING | NO LEAD | NO LEAD | - |
端子节距 | 0.65 mm | 0.35 mm | 0.5 mm | - |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 | - |
宽度 | 1.25 mm | 1 mm | 1 mm | - |
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