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IDT7MP6086S40M

产品描述Cache SRAM Module, 128KX36, 24ns, CMOS
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文件大小179KB,共7页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MP6086S40M概述

Cache SRAM Module, 128KX36, 24ns, CMOS

IDT7MP6086S40M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间24 ns
其他特性BURST COUNTER
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM MODULE
内存宽度36
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX36
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.96 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

IDT7MP6086S40M相似产品对比

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