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FMB3946S62Z

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SUPERSOT-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FMB3946S62Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SUPERSOT-6

FMB3946S62Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN AND PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
最大关闭时间(toff)190 ns
最大开启时间(吨)38 ns

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FFB3946 / FMB3946
FFB3946
E2
B2
C1
TRANSISTOR TYPE
C1 B1 E1
C2 B2 E2
NPN
PNP
FMB3946
C2
E1
C1
SC70-6
Mark: .AB
Dot denotes pin #1
pin #1
C2
B1
E1
B2
SuperSOT
-6
Mark: .002
Dot denotes pin #1
E2
pin #1
B1
NPN & PNP General Purpose Amplifier
This complementary device is designed for use as a general purpose
amplifier and switch The useful dynamic range extends to 100 mA as a
switch and 100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23 and 66.
See FFB3904 (NPN) and FFB3906 (PNP) for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Collector-Emitter Voltage
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
40
40
5.0
200
-55 to +150
Units
V
V
V
mA
°C
4
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
3)
All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJA
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
FFB3946
300
2.4
415
Max
FMB3946
700
5.6
180
Units
mW
mW/°C
°C/W
1999 Fairchild Semiconductor Corporation

FMB3946S62Z相似产品对比

FMB3946S62Z FMB3946D84Z FMB3946L99Z
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SUPERSOT-6 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SUPERSOT-6 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SUPERSOT-6
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6 6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V 40 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2 2
端子数量 6 6 6
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN AND PNP NPN AND PNP NPN AND PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz
最大关闭时间(toff) 190 ns 190 ns 190 ns
最大开启时间(吨) 38 ns 38 ns 38 ns
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