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FRF9150H

产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.14ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小76KB,共6页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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FRF9150H概述

Power Field-Effect Transistor, 0.14ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

FRF9150H规格参数

参数名称属性值
厂商名称Harris
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性RADIATION HARDENED
最大漏源导通电阻0.14 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON

FRF9150H相似产品对比

FRF9150H FRF9150R FRF9150D
描述 Power Field-Effect Transistor, 0.14ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA Power Field-Effect Transistor, 0.14ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA Power Field-Effect Transistor, 0.14ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
厂商名称 Harris Harris Harris
包装说明 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED
最大漏源导通电阻 0.14 Ω 0.14 Ω 0.14 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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