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74AUP1G58GM

产品描述Low-power configurable multiple function gate
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小81KB,共19页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74AUP1G58GM概述

Low-power configurable multiple function gate

74AUP1G58GM规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SON
包装说明VSON,
针数6
Reach Compliance Codecompli
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e3
长度1.45 mm
逻辑集成电路类型LOGIC CIRCUIT
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.1 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度1 mm

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74AUP1G58
Low-power configurable multiple function gate
Rev. 03 — 22 June 2009
Product data sheet
1. General description
The 74AUP1G58 provides configurable multiple functions. The output state is determined
by eight patterns of 3-bit input. The user can choose the logic functions AND, OR, NAND,
NOR, XOR, inverter and buffer. All inputs can be connected to V
CC
or GND.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
The 74AUP1G58 has Schmitt trigger inputs making it capable of transforming slowly
changing input signals into sharply defined, jitter-free output signals.
The inputs switch at different points for positive and negative-going signals. The difference
between the positive voltage V
T+
and the negative voltage V
T−
is defined as the input
hysteresis voltage V
H
.
2. Features
I
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
I
High noise immunity
I
ESD protection:
N
HBM JESD22-A114E exceeds 5000 V
N
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
N
CDM JESD22-C101C exceeds 1000 V
I
Low static power consumption; I
CC
= 0.9
µA
(maximum)
I
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
I
Inputs accept voltages up to 3.6 V
I
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
I
I
OFF
circuitry provides partial Power-down mode operation
I
Multiple package options
I
Specified from
−40 °C
to +85
°C
and
−40 °C
to +125
°C

74AUP1G58GM相似产品对比

74AUP1G58GM 74AUP1G58GF 74AUP1G58GW 74AUP1G58
描述 Low-power configurable multiple function gate Low-power configurable multiple function gate Low-power configurable multiple function gate Low-power configurable multiple function gate
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 -
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) -
零件包装代码 SON SON SOT-363 -
包装说明 VSON, 1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, SOT-891, SON-6 PLASTIC, SOT-363, SC-88, 6 PIN -
针数 6 6 6 -
Reach Compliance Code compli compli compli -
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V -
JESD-30 代码 R-PDSO-N6 S-PDSO-N6 R-PDSO-G6 -
JESD-609代码 e3 e3 e3 -
长度 1.45 mm 1 mm 2 mm -
逻辑集成电路类型 LOGIC CIRCUIT LOGIC CIRCUIT LOGIC CIRCUIT -
湿度敏感等级 1 1 1 -
功能数量 1 1 1 -
端子数量 6 6 6 -
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C -
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 VSON VSON TSSOP -
封装形状 RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 0.5 mm 0.5 mm 1.1 mm -
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V -
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V 0.8 V 0.8 V -
标称供电电压 (Vsup) 1.1 V 1.1 V 1.1 V -
表面贴装 YES YES YES -
技术 CMOS CMOS CMOS -
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE -
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) -
端子形式 NO LEAD NO LEAD GULL WING -
端子节距 0.5 mm 0.35 mm 0.65 mm -
端子位置 DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 -
宽度 1 mm 1 mm 1.25 mm -
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